大功率分立器件测试设备

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的z佳工具之一是半导体分立器件静态测试系统，普赛斯分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求，大功率分立器件测试设备就找普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；  

功率器件测试系统优势

    高电压、大电流

    具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(z大可扩展至10kV)

    具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

    高精度测量

    nA级漏电流, μΩ级导通电阻

    0.1%精度测量

    模块化配置

    可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

    测试效率高

    内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

    支持国标全指标的一键测试

    扩展性好

    支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等