E800型功率半导体测试高压程控电源具有输出及测量电压高(8000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~8000V,输出及测量电流0~40mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。设备可应用于IGBT击穿电压测试、IGBT老化电源、 防雷二极管耐压测试、压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。详询18140663476
产品特点
ms级上升沿和下降沿 减小待测物加电时间降低发热;
单台z大8000V,z大电流40mA,z大功率320W,可拓展至10kV;
恒压或恒流输出,同步测试电压或者电流;
0.1%的精度,高压下nA级别的漏电流测试;
支持线性、对数及用户自定义扫描;
恒压限流,限流避免炸管
技术参数
型号 E800
z大电压源/量程 8000V
z大电流源/量程 40mA
z大输出功率 320W
精度 0.1%
通信接口 RS-232/以太网
应用领域:
用于IGBT击穿电压测试、IGBT老化电源、防雷二极管耐压测试、压敏电阻耐压测试等场合,其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
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武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。
未来,普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力,联合更多行业客户,共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。